STMicroelectronics STP200N4F3 MOSFET de Puissance STripFET™ Canal N, 40V, 60.4k Ohms, TO-220

Description technique du produit (STP200N4F3):

Tension Drain-Source Vds(max): 40V. Courant de fuite Drain-Source Idss (maxi): 100uA. Courant de Drain Id (T=25°C): 60.4k Ohms. Courant de Drain Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Résistance à l\'état passant Rds On: 3M Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Boîtier: TO-220. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Nombre de connexions: 3. Montage/Installation: Montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation, applications automobiles. Technologie: STripFET™ Power MOSFET. Protection Gate-Source: non. Temps de retard à l\'arrêt Td(off): 90 ns. Courant de fuite Drain-Source Idss (min): 10uA. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 19 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 480A. Marquage sur le boîtier: 200N4F3. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacité d\'entrée C (in): 5100pF. Capacité de sortie C (out): 1270pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 67 ns. Dissipation de puissance maximale: 300W. Protection Drain-Source: Diode Zener. Tension Gate-Source Vgs: 20V. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) max.: 4V