STMicroelectronics STW18NM80 MOSFET de Puissance Canal N 800V 17A TO-247

Description technique du produit (STW18NM80):

Tension Vds maximale: 800V. Idss maximal: 100nA. Id (T=25°C): 17A. Id (T=100°C): 10.71A. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Boîtier: TO-247. RoHS: oui. Info spécification: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Technologie: MDmesh PowerMOSFET. Protection G-S: non. Idss minimum: 10nA. Quantité par boîtier: 1. Id(imp): 68A. Marquage sur le boîtier: 18NM80. Vgs(th) min.: 3V. C (in): 1630pF. C (out): 750pF. Dissipation de puissance maximale: 190W. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode Zener. Tension grille/source Vgs: 30V. Température: +150°C. Unité de conditionnement: 30.