STMicroelectronics STW43NM60ND MOSFET de Puissance Canal N 600V 35A 0.075Ω TO-247 MDmesh II

Description technique du produit (STW43NM60ND):

Tension Vds(max): 600V. Idss (max): 100uA. ID (T=25°C): 35A. ID (T=100°C): 22A. Résistance à l'état passant Rds(on): 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. RoHS: oui. Info spécifique: Faible résistance d'entrée de grille. Nombre de bornes: 3. Assemblage/installation: Montage traversant pour PCB. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Faible capacité d'entrée et charge de grille. Technologie: MDmesh II. Température max: +150°C. Protection G-S: non. Td(off): 120ns. IDss (min): 10uA. Td(on): 30ns. Quantité par boîtier: 1. Id(imp): 140A. Marquage sur le boîtier: 43NM60ND. Vgs(th) min.: 3V. C(in): 4300pF. C(out): 250pF. Trr Diode (Min.): 190ns. Pd (Dissipation de Puissance, Max): 255W. Protection drain-source: diode zener. Tension grille/source Vgs: 25V.