Toshiba 2SK2039 MOSFET V-MOS Canal N, 900V, 5A, Boîtier TO-3PN

Description technique du produit (2SK2039):

Tension Vds(max): 900V. Idss (max): 300uA. ID (T=25°C): 5A. ID (T=100°C): 3A. Résistance à l\'état passant Rds On: 1,9 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Boîtier: TO-3PN (2-16C1B). RoHS: oui. Nombre de bornes: 3. Assemblage/installation: Montage traversant sur PCB. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Haute vitesse. Technologie: V-MOS. Température max: +150°C. Protection G-S: non. Td(off): 210 ns. Td(on): 70 ns. Quantité par boîtier: 1. Id(imp): 15A. Vgs(th) min.: 1,5V. C(in): 690pF. C(oss): 120pF. Trr Diode (Min.): 1450 ns. Pd (Dissipation de puissance, Max): 150W. Protection drain-source: diode. Tension grille/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 3,5V.