Toshiba 2SK363 MOSFET Canal N 3.7 Ohm TO-92

Description technique du produit (2SK363):

MOSFET canal N Toshiba 2SK363. Courant de fuite Drain-Source Idss: 100uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Boîtier: TO-92. Conforme RoHS: oui. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Technologie: Effet de champ (TT-MOSIV). Protection Gate-Source: oui. Temps de retard à l\'extinction Td(off): 125 ns. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 60 ns. Quantité par boîtier: 1. Capacité d\'entrée C(in): 700pF. Capacité de sortie C(out): 75pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 850 ns. Protection Drain-Source: diode.