Toshiba 2SK3936 MOSFET de Puissance Canal N 500V 23A TO-3PN

Description technique du produit (2SK3936):

MOSFET de puissance canal N Toshiba 2SK3936. Tension Drain-Source Vds(max) maximale: 500V. Courant de fuite Drain-Source Idss (maxi): 500uA. Courant de Drain Id (T=25°C): 23A. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Boîtier: TO-3PN (2-16C1B). Conforme RoHS: oui. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Technologie: Type MOS à effet de champ (MACH-II-MOS VI). Protection Gate-Source: oui. Temps de retard à l\'extinction Td(off): 80 ns. Temps de retard à l\'allumage Td(on): 45 ns. Quantité par boîtier: 1. Courant de Drain pulsé Id(imp): 92A. Tension de seuil Gate-Source Vgs(th) min.: 2V. Capacité d\'entrée C(in): 4250pF. Capacité de sortie C(out): 420pF. Temps de récupération inverse de la diode Trr (Min.): 380 ns. Dissipation de puissance maximale: 150W. Protection Drain-Source: diode. Tension Gate-Source Vgs: 30V. Tension Gate-Émetteur VGE(th)max.: 4V. Température: +150°C.