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Toshiba

Toshiba RN1409 Transistor NPN avec Résistance 50V 0.1A 0.2W SOT-23

Référence produit : RN1409
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Description technique du produit (RN1409):

Transistor NPN+R RN1409 de Toshiba. Tension collecteur-émetteur Vceo: 50V. Courant de collecteur Ic: 0.1A. Dissipation de puissance Pd: 0.2W. Résistance de base Rb: 47K. Résistance base-émetteur Rbe: 22K. Matériau semi-conducteur: Si. C (out): 100 pF. Montage: montage en surface (SMD). Boîtier: SOT-23 (TO-236). Quantité par boîtier: 1 pièce. Fonction: DTR. Code SMD: XJ.