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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2SK1118-PMC

Transistor 2SK1118-PMC
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Transistor 2SK1118-PMC. Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 300uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 10:25.

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Transistor. C (in): 900pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 32A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100nA. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: K2645. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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