Transistor BC859C
| Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.62€ | 0.75€ |
| 5 - 9 | 0.59€ | 0.71€ |
| 10 - 12 | 0.56€ | 0.68€ |
| Quantité (Lot de 10) | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.62€ | 0.75€ |
| 5 - 9 | 0.59€ | 0.71€ |
| 10 - 12 | 0.56€ | 0.68€ |
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Transistor BC859C. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G/4C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 06:25.
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Transistor. C (in): 10pF. C (out): 4.5pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Courant de collecteur: 0.1A. Remarque: transistor complémentaire (paire) BC850C. Marquage sur le boîtier: 4g. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Puissance: 0.25W. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -68...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.65V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 4G. Diode BE: non. Diode CE: non
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