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Infineon Technologies

Transistor canal N BTS432E2, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11, 42V

Référence produit : BTS432E2
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Description technique du produit (BTS432E2):

Transistor canal N BTS432E2, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11, 42V. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-5-11. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Capacité de grille Ciss [pF]: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 80us. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BTS432E2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 5. Nombre de connexions: 5. RoHS: oui. Spec info: PROFET N-MOS 43V 11A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 300us. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -