Transistor canal N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V - FQA9N90C-F109

Transistor canal N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V - FQA9N90C-F109. Transistor canal N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FQA9N90C. Dissipation de puissance maxi: 280W. RoHS: oui. Poids: 4.7g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 22/04/2025, 02:25.