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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF710

Transistor canal N, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF710
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Transistor canal N, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V - IRF710. Transistor canal N, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. Id (T=100°C): 1.2A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3.6 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. C (in): 170pF. C (out): 34pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 6A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 36W. RoHS: oui. Td(off): 12 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 22/04/2025, 16:25.

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Transistor canal N, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 400V. C (in): 700pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 22A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non
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