Transistor canal N MBQ60T65PES, 650V, 60A, TO-247, TO-247
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
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| 1 – 59 | 8.67 € | — |
| 60+Meilleur prix | 8.22 € | -5% |
Description technique du produit (MBQ60T65PES):
Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Boîtier: TO-247. Diode au Germanium: non. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Diode CE: oui. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de canal: N. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Td(off): 142ns. Td(on): 45 ns. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: 60T65PES. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Dissipation de puissance maxi: 535W. Conditionnement: tube en plastique. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Courant de collecteur: 100A. Unité de conditionnement: 30