Transistor canal N SKM100GAR123D, 90A, autre, autre, 600V
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Description technique du produit (SKM100GAR123D):
Transistor canal N SKM100GAR123D, 90A, autre, autre, 600V. Ic(T=100°C): 90A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 5000pF. C (out): 720pF. Courant de collecteur: 100A. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Fonction: IGBT haute puissance. Ic(puls): 150A. Montage/installation: -. Nombre de connexions: 7. Remarque: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). RoHS: oui. Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Td(off): 450 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N