Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11€ | 1.34€ |
5 - 9 | 1.05€ | 1.27€ |
10 - 24 | 1.02€ | 1.23€ |
25 - 49 | 1.00€ | 1.21€ |
50 - 99 | 0.97€ | 1.17€ |
100 - 249 | 0.94€ | 1.14€ |
250 - 285 | 0.91€ | 1.10€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.11€ | 1.34€ |
5 - 9 | 1.05€ | 1.27€ |
10 - 24 | 1.02€ | 1.23€ |
25 - 49 | 1.00€ | 1.21€ |
50 - 99 | 0.97€ | 1.17€ |
100 - 249 | 0.94€ | 1.14€ |
250 - 285 | 0.91€ | 1.10€ |
Transistor canal N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v - SPB56N03L. Transistor canal N, 56A, 56A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263 ( D2PAK ), 30 v. Id (T=25°C): 56A. Idss (maxi): 56A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Marquage sur le boîtier: 56N03L. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Produit d'origine constructeur Siemens. Quantité en stock actualisée le 08/06/2025, 05:25.
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