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Infineon (irf)

Transistor canal P IRF9953, SO8

Référence produit : IRF9953
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Description technique du produit (IRF9953):

Transistor canal P IRF9953, SO8. Boîtier: SO8. Charge: 6.1nC. Courant de drain: -2.3A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 2W. RoHS: oui. Résistance thermique: 62.5K/W. Tension drain - source: -30V. Tension grille-source: 20V. Type de transistor: HEXFET, P-MOSFET x2