Transistor IGBT FGL40N120ANDTU

Transistor IGBT FGL40N120ANDTU. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-264. Boîtier (norme JEDEC): tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FGL40N120AND. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Courant de collecteur maxi (A): 160A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5.5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 500W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264-3L. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 25V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7.5V. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 05/06/2025, 19:25.