Transistor IGBT HGTG20N60B3

Transistor IGBT HGTG20N60B3. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: HG20N60B3. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Courant de collecteur maxi (A): 160A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 220 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 165W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 05/06/2025, 19:25.