Transistor IGBT IKW25N120T2

Transistor IGBT IKW25N120T2. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K25T1202. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 1.2 kV. Courant de collecteur Ic [A]: 25A. Courant de collecteur maxi (A): 100A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 27 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 265 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6.4V. Dissipation maximale Ptot [W]: 349W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Infineon. Quantité en stock actualisée le 05/06/2025, 19:25.