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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor IRF830APBF

Transistor IRF830APBF
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Transistor IRF830APBF. Transistor. C (in): 620 ns. C (out): 93 ns. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 430 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Id (T=100°C): 3.2A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Température: +105°C. Dissipation de puissance maxi: 74W. Résistance passante Rds On: 1.4 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 00:25.

Documentation technique

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