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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires NPN

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Transistor NPN, 10A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC5129. Transistor NPN, 10A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): 2-16E3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.7 MHz. Fonction: MONITOR HA,Hi-res. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: C5129. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: temps de descente 0.15..03us (64kHz). Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 04:25.

Documentation technique

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Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: 'High Voltage Color Display Horizontal Deflection'. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us
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