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Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v, 30V - BC517_D74Z. Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v, 30V. Courant de collecteur: 1.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension collecteur-émetteur VCEO: 30V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200MHz. Gain hFE mini: 30000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC516. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 0.625W. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 21/07/2025, 20:25.

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Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200MHz. Gain hFE mini: 30000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC516. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 10V
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