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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor SPP08N80C3

Transistor SPP08N80C3
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10 - 24 2.70€ 3.27€
25 - 49 2.55€ 3.09€
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Transistor SPP08N80C3. Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 46pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated High peak current capability'. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 5.1A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: 08N60C3. Dissipation de puissance maxi: 104W. Résistance passante Rds On: 0.56 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos POWER trafnsistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.

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Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 11A. Dissipation de puissance maxi: 156W. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. Fonction: ID pulse 33A. Quantité par boîtier: 1
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Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Dissipation de puissance maxi: 205W. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 900V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 45nC, faible Crss 14pF
FQP9N90C
Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Dissipation de puissance maxi: 205W. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 900V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 45nC, faible Crss 14pF
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