Transistors

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40Ap. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 6.5A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 4800B. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.0155 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 32 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET Reduced Qg. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.8V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, MOSFET de puissance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 2000pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 9.9A. Id (T=25°C): 12.4A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.0074 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: oui

Transistor. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 60 ns. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 7.1A. Idss (maxi): 7.1A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: P. Id (T=100°C): 5.9A. Id (T=25°C): 7.3A. Idss (maxi): 7.3A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 5W. Résistance passante Rds On: 0.024 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 2. Fonction: td(on) 10ns, td(off) 45ns

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.052 Ohms @ 4.7A. Marquage du fabricant: SI4946BEY-T1-E3

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4946EY-T1-E3. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. Type de canal: P. Conditionnement: rouleau. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1.4W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Quantité par boîtier: 2. Unité de conditionnement: 2500

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4948BEY-T1-GE3. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 600pF. C (out): 70pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 30 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Id (T=100°C): 3.8A. Id (T=25°C): 4.7A. Idss (maxi): 10nA. Idss (min): 1nA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3.2W. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): TO-263AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI9410BDY-E3. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.024 Ohms @ 8.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id (T=25°C): 5.3A. Idss (maxi): 5.3A. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: V-MOS. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1

Transistor. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: (G-S) MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. Fonction: 9.31k Ohms. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 30V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI9936BDY. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 550pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SMD. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: 9.31k Ohms. Id (T=100°C): 3.7A. Idss (maxi): 3.2A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 60V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI9953DY. Tension drain-source Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Fonction: 9.31k Ohms. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 20V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2

Transistor. C (in): 985pF. C (out): 205pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 14 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'High-Side Switch'. Id(imp): 50A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 196k Ohms. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 29.8W. Résistance passante Rds On: 0.0075 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: module. Configuration: Vissé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SK85MH10. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0135 Ohms @ 80A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 120ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 570 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 9100pF. Famille de composants: pont MOSFET complet, NMOS. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C

Transistor. C (in): 5000pF. C (out): 720pF. Type de canal: N. Fonction: IGBT haute puissance. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Ic(T=100°C): 90A. Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Td(off): 450 ns. Td(on): 30 ns. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Remarque: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 23.1pF. C (out): 1.9pF. Type de canal: N. Fonction: IGBT haute puissance. Courant de collecteur: 470A. Ic(puls): 600A. Ic(T=100°C): 330A. Dimensions: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 650 ns. Td(on): 330 ns. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V. Nombre de connexions: 7. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non

Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 107pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 300 ns. Fonction: S-IGBT rapide en technologie NPT. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 80A. Ic(T=100°C): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 179W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 445 ns. Td(on): 36ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Spec info: K20N60. Diode CE: oui

Transistor. C (in): 1150pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 280 ns. Fonction: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Courant de collecteur: 46A. Ic(puls): 84A. Ic(T=100°C): 20A. Marquage sur le boîtier: K25N120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 313W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 730 ns. Td(on): 45 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: K30N60HS. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 41A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Courant de collecteur maxi (A): 112A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 106 ns. Td(on): 16 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V