Transistors

Transistor. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC639. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640

Transistor. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC639-16. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC639-16. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 1A. Puissance: 0.8W. Fréquence maxi: 100MHz. Boîtier: TO-92

Transistor. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 1A. Puissance: 0.8W. Fréquence maxi: 50MHz. Boîtier: TO-92

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC639. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC640-16. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 150 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC639-16. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC640. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Courant de collecteur: 0.5A. Marquage sur le boîtier: 5B. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Spec info: sérigraphie/code CMS 5B

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5B1. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. C (out): 5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 250. Courant de collecteur: 0.5A. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 5C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 5C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 5G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.5A. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6As. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6As

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.5A. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 6A

Transistor. C (out): 3pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 160. Courant de collecteur: 0.5A. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6B. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 6B. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 6B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN

Transistor. C (out): 10pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 250. Courant de collecteur: 0.5A. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 6C. Diode BE: non. Diode CE: non