Transistors

Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Applications audio, linéaires de puissance et de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD237. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-225. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD238G. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -80V. Courant de collecteur: -2A. Puissance: 25W. Fréquence maxi: 3MHz. Boîtier: TO-126

Transistor. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Puissance: 30W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 4A. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD240C

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 4A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD239C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 3A. Puissance: 40W. Fréquence maxi: 3MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD241C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD242CG. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD243C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 6A. Puissance: 65W. Boîtier: TO-220. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistor de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD244C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD243C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN

Transistor. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistor de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD244C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Puissance: 65W. Fréquence maxi: 3MHz. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD244C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 15. Dissipation de puissance maxi: 65W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C

Transistor. Boîtier: TO-220. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -100V. C (in): -6A. C (out): 65W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 6A. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD246C

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF-L. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD246C

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD245C. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: NF/L. Courant de collecteur: 10A. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD245C. Diode CE: oui

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 25A. Ic(puls): 40A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD250C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 25A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD250C

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 25A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Courant de collecteur: 25A. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD249C. Diode BE: non. Diode CE: non