Transistors

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Io-sat. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3299

Transistor. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 10W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F (2-8A1H). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3421Y. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 0.05A. Dissipation de puissance maxi: 5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): 2-8H1A. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3423. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (in): 1.7pF. C (out): 2.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 5V. Fonction: vidéo. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 3.1pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Amplificateur de tension audio, définition CRT, sortie vidéo. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Marquage sur le boîtier: A1381-E. Dissipation de puissance maxi: 7W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3503. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 500pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Courant de collecteur: 15A. Marquage sur le boîtier: A1386A. Dissipation de puissance maxi: 130W. Poids: 6g. Boîtier: TO-3P ( TO3P ). Boîtier (selon fiche technique): MT-100(TO3P). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3519A. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Fonction: usage général. Courant de collecteur: 5A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Courant de collecteur: 15A. Marquage sur le boîtier: A1492. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3856

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Courant de collecteur: 17A. Dissipation de puissance maxi: 200W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3858

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 400 MHz. Fonction: Hi-def, Cre=2.2pF. Courant de collecteur: 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC3953

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/S. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm)

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF-S. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: TV-NF-L. Courant de collecteur: 2A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: PNP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC4381

Transistor. C (out): 60pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Transistor PNP haute tension pour applications audio et à usage général.. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): FM20 (TO220F). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC4382. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 6A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC4466

Transistor. C (out): 36pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF, lo-sat. Gain hFE maxi: 270. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 5A. Marquage sur le boîtier: AG*. Equivalences: LG 0TRRH80034A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 ( MTP3 ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC4672. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10R1A. Type de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC4793. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 320pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 10A. Marquage sur le boîtier: A1941. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1A. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5198. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 360pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30MHz. Fonction: Amplificateur de puissance HIFI. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 15A. Marquage sur le boîtier: A1943 (O). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264 ( 2-21F1A ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC5200. Diode BE: non. Diode CE: non