Transistors

Transistor. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.029 Ohms & 0.058 Ohms

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7389. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.9A/-4.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.058 Ohms @ 5.8/-4.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns/13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26/34 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 650/710pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET de puissance à commutation rapide. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 400V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF740LC. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1100pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF740PBF. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 10A. Puissance: 125W. Boîtier: TO-220. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension drain - source (Vds): 400V

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF740SPBF. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1600pF. C (out): 680pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 74 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 58A. Id (T=100°C): 9.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 12uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 52 ns. Td(on): 8.6 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7413. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 7.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 1210pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 24 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Impédance de grille ultra-basse. Id(imp): 100A. Id (T=100°C): 9.2A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11 ns. Td(on): 8.7 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 95. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 1700pF. C (out): 890pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 45A. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.02 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 59 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2.04V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7416. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -5.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.04V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 59 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7424. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0035 Ohms @ -11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -2.04V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 150 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4030pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 7980pF. C (out): 1480pF. Type de canal: P. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 25uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.082 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 230 ns. Td(on): 13 ns. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 20V. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 1.2V. Vgs(th) min.: 0.45V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3480pF. C (out): 870pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 64 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS MOSFET, High Frequency DC-DC Converters. Id(imp): 60.4k Ohms. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.006 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 51 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 0.6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7455. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 15A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0075 Ohms @ 15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 17 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 51 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3480pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7468. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0015 Ohms @ 9.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2460pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 66A. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 30uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 25 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 66A. Id (T=100°C): 6.6A. Id (T=25°C): 8.3A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.017 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11 ns. Td(on): 6.3 ns. Technologie: MOSFET de puissance. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 770pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 31us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuit intégré pour convertisseurs DC-DC. Id(imp): 88A. Id (T=100°C): 8.7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 10 ns. Td(on): 6.9ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.25V. Vgs(th) min.: 1.35V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7811. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1801pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7821. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0091 Ohms @ 13A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.3 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.7 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1010pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +155°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7831. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 21A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0036 Ohms @ 20A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.35V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 17 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6240pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. C (in): 4310pF. C (out): 990pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 41us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power. Id(imp): 160A. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 150uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.031 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 10 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.32V. Vgs(th) min.: 1.39V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3850pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 260W. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor. C (in): 3850pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 99 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 260W. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 61 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non