Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 75V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Diode BE: non. C (out): 5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: UNI. Gain hFE mini: 100. Marquage sur le boîtier: 1 P. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: SMD 1P. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 600mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1P. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1S. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1.2A. Marquage sur le boîtier: 2F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Spec info: SMD '2F'. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, SOT23, 40V. Boîtier: SOT23. Tension collecteur-émetteur VCEO: 40V. Type: transistor pour applications basse puissance. Polarité: NPN. Puissance: 0.35W. Tension base / collecteur VCBO: 60V. Type de montage: SMD. Bande passante MHz: 300MHz. Gain hFE min.: 100. Courant maximum 1: 0.2A. Tension IGBT VRSM maxi: 300 MHz. Information: 0.35W. Série: -55°C. MSL: +150°C

Transistor NPN, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé (CMS). C (in): SOT-23. C (out): 1.6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: UNI. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Marquage sur le boîtier: 1AM. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Spec info: SMD 1AM. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Diode BE: non. C (out): 80pF. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 0.9A. Marquage sur le boîtier: 2x. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 2X. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 30 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 150V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor PNP. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2L. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.250W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Marquage sur le boîtier: 2 L. Equivalences: MMBT5401LT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Spec info: sérigraphie/code CMS (2Lx Date Code). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 60. Marquage sur le boîtier: G1. Equivalences: MMBT5551LT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS G1 (3S Fairchild). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 600mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G1. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1GM. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1GM. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: transistor amplificateur haute tension (version CMS du transistor MPSA42). Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Remarque: 1D. Marquage sur le boîtier: 1D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 240mW. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MMBTA92. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 1D. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 5mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 3EM. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 650 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Diode BE: non. C (out): 9pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 350. Gain hFE mini: 200. Marquage sur le boîtier: Y1. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

ROHS: Oui. Boîtier: SOT23. Montage/installation: SMD. Type de transistor: BRT. Polarité: bipolaire. Tension (collecteur - émetteur): 50V. Courant de collecteur Ic [A]: 0.1A. Gain hfe: 35...60. Puissance: 0.246W. Résistance base: 10k Ohms. Résistance base-émetteur: 10k Ohms

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A8A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Diode BE: VAN, Résistance BE: 42 Ohms, Diode CE: VAN, Quantité par boîtier: 1 db, Montage/installation: composant monté en surface (CMS), Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ), Boîtier (selon fiche technique): SOT-23

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A8E. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A8K. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.246W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: paire de transistors complémentaires. Gain hFE mini: 5000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP & NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSA42. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Résistance BE: 10. C (out): 300pF. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100MHz. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 4 v