Transistors bipolaires NPN

Transistor. Diode BE: VAN, Résistance BE: 42 Ohms, Diode CE: VAN, Quantité par boîtier: 1 db, Montage/installation: composant monté en surface (CMS), Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ), Boîtier (selon fiche technique): SOT-23

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A8E. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A8K. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.246W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-218. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: paire de transistors complémentaires. Gain hFE mini: 5000. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP & NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSA42. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Résistance BE: 10. C (out): 300pF. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100MHz. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 4 v

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSA06. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, 30 v. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 10000. Gain hFE mini: 5000. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Technologie: transistor Darlington. Tf(min): 125 MHz. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 125 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 10000. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor Darlington. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 45V, 0.2A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Fréquence maxi: 100 MHz. Gain hFE min.: 1000. Applications: Audio

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (ammo pak). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Résistance B: transistor pour applications basse puissance. Diode BE: non. Résistance BE: TO92. C (in): 0.625W. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Equivalences: KSP42. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MPSA92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 500mV. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Courant de collecteur: 0.3A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 (ammo pak). Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. C (out): 7pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 40. Equivalences: KSP44, CMPSA44. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tension de saturation VCE(sat): 400mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 750mV. Vebo: 6V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 5mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5mA. RoHS: non. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MPSH10. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 650 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: hFE 25...40. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. FT: 100 MHz. Fonction: High hFE. Gain hFE maxi: 150000. Gain hFE mini: 25000. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 12V

Transistor NPN, 28V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 28V. Type de transistor: transistor NPN. Polarité: NPN. Applications: RF-POWER

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: transistor avec réseau de résistance de polarisation. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Remarque: Panasonic NV-SD450. Remarque: B1GBCFLL0035. Marquage sur le boîtier: 8B. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 338mW. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 8B. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistors numériques (BRT). Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN. Diode BE: non. C (in): 9pF. C (out): 3.5pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Diode BE: non. C (in): 9pF. C (out): 6pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: amplificateur de puissance audio. Date de production: 201452 201512. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 45. Ic(puls): 30A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) NJW1302. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, 60V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2.5 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Remarque: hFE 20...70. Remarque: transistor complémentaire (paire) NTE219. Température: +200°C. Dissipation de puissance maxi: 115W. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V

Transistor NPN. Diode BE: non. C (out): 135pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: SOT-199. Boîtier (selon fiche technique): SOT-199. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Conçu pour Grundig. Dissipation de puissance maxi: 34W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 600mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. RoHS: oui. Famille de composants: transistor NPN. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P2N2222A. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor NPN, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 6.2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 35pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 500. Gain hFE mini: 75. Ic(puls): 15A. Remarque: transistor complémentaire (paire) PBSS4041PX. Marquage sur le boîtier: 6F. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Spec info: sérigraphie/code CMS 6F. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 220 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 35mV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 320mV. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Transistor avec résistance de polarisation intégrée. Gain hFE mini: 80. Ic(puls): 100mA. Marquage sur le boîtier: *08. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS P08/T08. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Vebo: 10V