Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: usage général. Marquage sur le boîtier: C3198. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 70. Température: +125°C. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: remplacement KTA1267. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Hi-Beta, lo-sat.. Gain hFE mini: 500. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Remarque: 9mm. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. C (out): 250pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 40. Dissipation de puissance maxi: 130W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1294. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 17A, 230V. Courant de collecteur: 17A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Dissipation de puissance maxi: 200W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1295

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 160V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: NF-E HI-FI. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1301

Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: NF-E HI-FI. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1302. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 14A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1303

Transistor NPN, 1.5A, TO-220FP, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1306

Transistor NPN, 5A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 8A. Marquage sur le boîtier: C3303. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( D-PAK ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Ic(puls): 8A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Vebo: 8V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: NF/SL. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, 0.7A, 180V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Applications de commutation haute tension. Dissipation de puissance maxi: 0.7W. Type de transistor: NPN. Remarque: hFE 140...280. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1319

Transistor NPN, 5A, 500V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 40W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Matériau semi-conducteur: silicium. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 250 MHz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 0.05A, TO-126F, TO-126F, 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1360

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Fonction: hFE 15...30. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Fonction: hFE 20...40. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 20A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, SC-51 ( MP ), 200V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): SC-51 ( MP ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. C (out): 1.7pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 0.2A. Marquage sur le boîtier: C3467. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hauteur 9mm. Spec info: VCB=30V, f=1MHz, Cob 1.7pF, Cre 1.2pF. Fonction: Video, Hi-def. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V/100V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126, 300V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 2.6pF. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 120. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 0.2A. Marquage sur le boîtier: C3503-D. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 7W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Amplificateur de tension audio, définition CRT, sortie vidéo. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1381. Diode BE: non. Diode CE: non