Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 0.05A, 75V. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 75V. Résistance B: 47. Résistance BE: 10. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 300 MHz. Fonction: TV-ZF-E. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, MF20 TO220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): MF20 TO220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. C (out): 50pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: pilote pour solénoïde et moteur. Gain hFE mini: 500. Dissipation de puissance maxi: 25W. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 200V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 200V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Marquage sur le boîtier: C3856. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 130W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1492. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, 800V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: MONITOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: MONITOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Marquage sur le boîtier: C3886A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: MONITOR. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.02A, 25V. Courant de collecteur: 0.02A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 450 MHz. Fonction: TV/IF. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HA, Hi-res. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: Rbe 60 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, 600V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HA, Hi-res. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: MONITOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 8A, 600V. Courant de collecteur: 8A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HA, Hi-res. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: MONITOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, M31/J, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M31/J. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V. Dissipation maximale Ptot [W]: 130W

Transistor NPN, 15A, 800V. Courant de collecteur: 15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HA hi-def.. Dissipation de puissance maxi: 180W. Spec info: MONITOR. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 400V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: Applications de pilote haute tension. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Spec info: hFE 100...200. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 450V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Dissipation de puissance maxi: 130W. Spec info: 500/2200ns. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 600V

Transistor NPN, 0.065A, 10V. Courant de collecteur: 0.065A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: UHF. Spec info: 9000MHZ. Puissance: 200mW. Type de transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 1.5V

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Dissipation de puissance maxi: 50W. Spec info: 2SD4106M. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 400V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 20A. Marquage sur le boîtier: C4107. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220F, 120V. Courant de collecteur: 7A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: convertisseur de tension DC/DC. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 70. Ic(puls): 14A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.7A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 270 MHz. Fonction: hFE1 1500, hFE2 600 . Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé (CMS), SMV-5, 0.15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMV-5. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.15A. RoHS: oui. Famille de composants: double transistor bipolaire NPN. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 5. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 80 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 3A, 800V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: (F). Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8 MHz. Fonction: Transistor de puissance de commutation. Dissipation de puissance maxi: 80W. Spec info: série HFX. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1200V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S-L. Ic(puls): 20A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1200V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: S-L. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1633. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN