Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220, TO-220, 100V, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW47G. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 85W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Fonction: hFE 750 (@3V, 6A). Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW83C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SOT-93. Boîtier (norme JEDEC): SOT-93. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW84D. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Nombre de connexions: 3. Fonction: hFE 750 (@3V, 6A). Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW83D

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDW94C. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: transistor complémentaire (paire) BDW93C. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor PNP, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 33W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Fonction: transistor complémentaire (paire) BDW93CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor PNP, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 150 Ohms. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Gain hFE maxi: 750. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. C (in): oui. C (out): -100V. Nombre de connexions: 3. Fonction: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX33C. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220, TO-220, 100V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BDX34CG. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, 8A, TO-220, TO-220AB, 50V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Conditionnement: tube en plastique. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Date de production: 2014/32. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 12A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistors Darlington de puissance complémentaire. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Résistance B: Transistor de puissance Darlington. Résistance BE: transistor Darlington. C (in): -100V. C (out): -8A. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) BDX53C. Unité de conditionnement: 50. Fonction: amplificateur audio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor PNP, 8A, TO-220, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Résistance BE: R1 typ. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Transistors Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 12A. Dissipation de puissance maxi: 60W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX53F. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Fonction: hFE 1000. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX67C

Transistor PNP, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Dissipation de puissance maxi: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Fonction: hFE 1000. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX67C

Transistor PNP, 4A, 50V. Courant de collecteur: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Dissipation de puissance maxi: 36W. Type de transistor: PNP. Quantité par boîtier: 1

Transistor PNP. Quantité par boîtier: 1

Transistor PNP, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 450 MHz. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Quantité par boîtier: 1

Transistor PNP, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 100mA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 830mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF420. Diode CE: oui

Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92, 250V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 100A. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF422

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( SOT-54 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. RoHS: non. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BF450. Fréquence de coupure ft [MHz]: 350 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN. Spec info: feedback capacitance--0.45pF

Transistor PNP, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 350 MHz. Fonction: Etages HF et IF dans les récepteurs radio. Gain hFE maxi: 90. Gain hFE mini: 30. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.03A, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 0.03A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 60 MHz. Dissipation de puissance maxi: 2W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) BF471

Transistor PNP, 50mA, 30 v. Courant de collecteur: 50mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Matériau semi-conducteur: silicium. Type de transistor: PNP. Quantité par boîtier: 1

Transistor PNP, 50mA, 30 v. Courant de collecteur: 50mA. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: VHF/UHF-V. Type de transistor: PNP. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, -250V, -0.5A, TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: -250V. Courant de collecteur: -0.5A. Boîtier: TO-92. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Puissance: 0.8W

Transistor PNP, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. C (out): 1.6pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 350V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Courant de collecteur: 30mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 550 MHz. Fonction: VHF-V. Gain hFE mini: 25. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 35V. Vebo: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1