Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 4.7k Ohms. Résistance BE: 47k Ohms. C (out): 3pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor PNP équipé d'une résistance. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 100mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V. Spec info: sérigraphie/code CMS 19. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 190 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 480. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 4A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) FMMT619. Spec info: sérigraphie/code CMS 720

Transistor PNP, 2A, SANYO--PCP4, 25V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): SANYO--PCP4. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Matériau semi-conducteur: silicium. Ic(puls): 5A. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Epitaxial Planar Silicon Transistor, Composite Schottky Barrier Diode. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Nombre de connexions: 7. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 2SB1121 et SB05-05CP intégrés dans un seul boîtier

Transistor PNP, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 65 MHz. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Nombre de connexions: 3. Fonction: hFE 5000. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) FN1016. Diode CE: oui

Transistor PNP, 3A, PCP4, 15V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): PCP4. Tension collecteur/émetteur Vceo: 15V. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 100. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 6. Spec info: Transistor + diode block. Diode CE: oui

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 400V, 0.2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 400V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 0.2A. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT558. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Famille de composants: transistor PNP haute tension. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 30 v, 5.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5.5A. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. RoHS: oui. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FZT949. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 3W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V. Spec info: tension de saturation très faible

Transistor PNP. Quantité par boîtier: 1

Transistor PNP, 3A, 40V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Remarque: hFE 100...400. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Type de transistor: PNP. Spec info: TO-92

Transistor PNP, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: hFE 160...320. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Spec info: boîtier NON isolé

Transistor PNP, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: KSA642-O

Transistor PNP, 0.15A, 60V. Courant de collecteur: 0.15A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: 9mm. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277

Transistor PNP, 0.7A, 80V. Courant de collecteur: 0.7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF/S. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: PNP. Spec info: hauteur 9mm. Diode CE: oui

Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 55pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: TV-HA. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC2073. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Courant de collecteur: 50mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (AMMO). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 2pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 300. Marquage sur le boîtier: A992. Equivalences: 2SC992. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSC1845. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 35pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 9 MHz. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 150. Marquage sur le boîtier: B1366-G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon PNP Triple Diffused Type. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KSD2012. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 1A, 30 v. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 110 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Type de transistor: PNP. Spec info: SAMSUNG. Diode CE: oui

Transistor PNP, 0.6A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. C (out): 12pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 75. Remarque: brochage E, C, B. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 500mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 300V. Courant de collecteur: 500mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 ( Ammo Pack ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. C (out): 6pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: Transistor haute tension. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor PNP au silicium épitaxial. Type de transistor: PNP. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.1A, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Type de transistor: PNP. Spec info: 0504-000142. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: SW. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 47. Résistance BE: 47. C (out): 2.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: S. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: 12159-301-810. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.15A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 10. Résistance BE: 10. C (out): 3.7pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 1.5A, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: PNP