Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 0.5A, 40V. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 65V/60V, 300mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V/60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor PNP, 2.5A, 35V. Courant de collecteur: 2.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 160 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Remarque: Silicon PNP Epitaxial. Dissipation de puissance maxi: 10W. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire)

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30V/25V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/25V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 55V, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 55V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.15W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 35V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 0.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 70V/50V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 15W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D18/C, 80V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D35/B, 150V, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D35/B, 20V/15V, 200mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D35/B. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 20V/15V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 100V, 500mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W

Transistor PNP, 0.05A, 80V. Courant de collecteur: 0.05A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 180 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.15W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 30V/20V, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30V/20V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 30mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Marquage du fabricant: silicium. Fréquence de coupure ft [MHz]: 0.03A. Plage de température de fonctionnement min (°C): PNP. Plage de température de fonctionnement max (°C): 30 v

Transistor PNP, 1A, 40V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Résistance B: non. Diode BE: Transistor bipolaire PNP. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): D8A/C. Diode CE: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 45V/35V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V/35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 90V, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor PNP, 1A, 20V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Résistance B: non. Diode BE: Transistor bipolaire PNP. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-126. Diode CE: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Dissipation de puissance maxi: 4W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 90V, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 90V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W

Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92L, 160V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: NF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D18/C, 40V/32V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D18/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W

Transistor PNP, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: TV-HA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2073. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.05A, TO-92, TO-92, 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: audio/vidéo. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: hauteur 9mm

Transistor PNP, 0.8A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 120V. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: Processus PCT. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 80. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2235-Y. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. C (out): 4pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type (PCT Process)'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Fonction: amplificateur audio à faible bruit. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2240. Diode BE: non. Diode CE: non