Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 40V/32V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V/32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 10W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 120V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 8W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, M10/J, 100V, 4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: M10/J. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W

Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Remarque: sérigraphie/code CMS BF. Marquage sur le boîtier: BF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1623S. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: pilotes de moyenne puissance, de solénoïdes, de relais et d'actionneurs et modules DC/DC. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Remarque: sérigraphie/code CMS BF. Marquage sur le boîtier: BF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1623T. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 (SC-62). Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Diode BE: non. C (out): 20pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 180. Marquage sur le boîtier: BA. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Spec info: SMD BA0. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126F. Boîtier (selon fiche technique): TO-126ML. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 39pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: NF/SL. Ic(puls): 6A. Dissipation de puissance maxi: 10W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1683. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Vebo: 6V

Transistor PNP, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): SC-67. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 50pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: NF-E-L. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial planar type'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 95pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1804. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 20 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V

Transistor PNP, 5A, 25V. Courant de collecteur: 5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 320 MHz. Fonction: Commutation stroboscopique à haute intensité. Remarque: hFE 140...280. Dissipation de puissance maxi: 10W. Spec info: TO-251 (I-Pak). Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 3A, 110V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Remarque: =4000. Dissipation de puissance maxi: 20W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): ATV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: TU2. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V

Transistor PNP, 2A, 40V. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Remarque: hFE 180...390. Dissipation de puissance maxi: 1W. Spec info: 2SB1240R. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): ATV. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Ic(puls): 4.5A. Marquage sur le boîtier: B1243 (RN). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial planar type'. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1913. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 3A, 100V. Courant de collecteur: 3A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: >2000. Dissipation de puissance maxi: 1W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 6A, 120V. Courant de collecteur: 6A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Remarque: =10000. Dissipation de puissance maxi: 30W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 12 MHz. Gain hFE maxi: 10000. Gain hFE mini: 1000. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1933. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor PNP, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 9 MHz. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1913. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TOP-3L. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Fonction: Optimal pour une sortie Hi-Fi de 120W. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 3500. Ic(puls): 15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple diffusion planar type darlington'. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L. Gain hFE maxi: 5000. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V

Transistor PNP, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Courant de collecteur: 10A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN ( MT-100 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Transistor Darlington?: 1. Quantité par boîtier: 2. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 55 MHz. Fonction: hFE 5000. Ic(puls): A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 100W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2390. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor PNP, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 25W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2394. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, 12A, 150V. Courant de collecteur: 12A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: NF/L. Dissipation de puissance maxi: 150W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD2401. Type de transistor: PNP. Vcbo: 160V