Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Marquage sur le boîtier: B668. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD718

Transistor PNP, 7A, 170V. Courant de collecteur: 7A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 170V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Dissipation de puissance maxi: 80W. Type de transistor: PNP

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 80V/60V, 7A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V/60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 7A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W

Transistor PNP, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): MINI MOLD. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. C (out): 2.7pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Gain hFE maxi: 460. Gain hFE mini: 160. Ic(puls): 0.2A. Marquage sur le boîtier: AQ. RoHS: non. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 25V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD601. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D8/C, 35V, 50mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D8/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 35V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D17/C, 60V/50V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D17/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.9W

Transistor PNP, 3A, TO-126, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Dissipation de puissance maxi: 10W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD882

Transistor PNP, 12A, TO-3PN, 160V. Courant de collecteur: 12A. Boîtier: TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Dissipation de puissance maxi: 100W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1047. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: 10. Résistance BE: 47. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 70V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1133

Transistor PNP, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Résistance B: 10. Résistance BE: 47. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: transistor PNP. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1138. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, D17/C, 80V/50V, 1.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D17/C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V/50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: non. Famille de composants: Transistor PNP Darlington. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.9W

Transistor PNP, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD1207

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 45V/40V, 300mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V/40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 300mA. RoHS: non. Famille de composants: Transistor bipolaire PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 80V, 1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. RoHS: non. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: A743. Fréquence de coupure ft [MHz]: 120 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor PNP. Quantité par boîtier: 1

Transistor PNP. Quantité par boîtier: 1. Spec info: remplaçant

Transistor PNP. Quantité par boîtier: 1

Transistor PNP, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Courant de collecteur: 20mA. Boîtier: SOT-39. Boîtier (selon fiche technique): SOT-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 13V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: GE. FT: 1250 MHz. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: PNP. Vcbo: 20V. Vebo: 0.3V

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 32V, 2A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. RoHS: non. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: B891F. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor PNP, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Résistance B: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 180pF. C (out): 30pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: 1A. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): +175°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: EPITAXIAL TRANSISTORS. Tf(max): 650 ns. Tf(min): 500 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC141. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.1A, 45V. Courant de collecteur: 0.1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 220. Gain hFE mini: 120. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. C (out): 4pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 460. Gain hFE mini: 180. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -60...+200°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, TO-92, 100mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Résistance B: transistor PNP. Résistance BE: -50V. C (in): -0.1A. C (out): 1W. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 280 MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. RoHS: oui. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BC212BG. Fréquence de coupure ft [MHz]: 280 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor PNP

Transistor PNP, 0.2A, 45V. Courant de collecteur: 0.2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 350 MHz. Fonction: usage général. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Type de transistor: PNP. Diode CE: oui