Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 30 v, 6A/6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: FDS6912. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 29 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 740pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 8.5A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 19m Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 475pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 33 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 42 ns. Td(on): 5 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.2V

Transistor canal N, 5.4A, SO, SO-8. Id (T=100°C): 5.4A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. Trr Diode (Min.): 15 ns. Fonction: Rds-on 0.030 Ohms. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 25V, 0.22A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.22A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 301. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 301. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 8 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 9.5pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 25V, 0.68A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 303. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 50pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 650V. C (in): 2915pF. C (out): 270pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 47ms. Fonction: onduleur solaire, UPS, Poste de soudage, PFC, Télécom, ESS. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 600W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 104 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: 'Field Stop IGBT'. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2-PAK. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 940pF. C (out): 110pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Fonction: onduleur solaire, UPS, poste à souder, PFC. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 40A. Ic(puls): 60A. Remarque: transistor IGBT MOS canal N. Marquage sur le boîtier: FGB20N60SF. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 90 ns. Td(on): 12 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2110pF. C (out): 200pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Marquage sur le boîtier: FGH40N60SFD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 115 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 1880pF. C (out): 180pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 70 ns. Fonction: onduleur solaire, UPS, Poste de soudage, PFC, Télécom, ESS. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 349W. RoHS: oui. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 92 ns. Td(on): 12 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2110pF. C (out): 200pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 45 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 112 ns. Td(on): 24 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.4V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2820pF. C (out): 350pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 47 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SFD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 378W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2820pF. C (out): 350pF. Diode CE: non. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 378W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 134 ns. Td(on): 22 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.9V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4 v. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. C (in): 2915pF. C (out): 270pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 30 ns. Fonction: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60.4k Ohms. Ic(puls): 180A. Marquage sur le boîtier: FGH60N60SMD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 18 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.9V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V

Transistor canal N, 25A, Autre, Autre, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 1.45pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 39A. Ic(puls): 50A. Remarque: 7x IGBT+ CE Diode. Nombre de connexions: 33dB. Dimensions: 56.7x48x12mm. Dissipation de puissance maxi: 175W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 0.46 ns. Td(on): 0.08 ns. Technologie: Module hybride IGBT. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.85V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.25V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.2V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V

Transistor canal N, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Id (T=100°C): 6.32A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.93 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2150pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 730 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: FQA10N80C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 240W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 90 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-3PN, 900V, 11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA11N90C. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-3PN, 900V, 11A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA11N90C_F109. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-3PN, 900V, 11.4A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA 11N90. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 340 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. Id (T=100°C): 9.5A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.43 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1580pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 43nC). Protection G-S: non. Id(imp): 60A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 218W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-3PN, 800V, 12.6A, 1, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Boîtier (norme JEDEC): 1. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 800V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA13N80. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 320 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Id (T=100°C): 11.7A. Id (T=25°C): 18.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.3 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2800pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 420 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non. Id(imp): 74A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 65 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. Id (T=100°C): 12.5A. Id (T=25°C): 24A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.156 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3500pF. C (out): 520pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 90nC). Protection G-S: non. Id(imp): 96A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 290W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Id (T=100°C): 14.9A. Id (T=25°C): 23.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 600V. C (in): 4200pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 90nC). Protection G-S: non. Id(imp): 94A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. Id (T=100°C): 23.3A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.067 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 150V. C (in): 1250pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 40nC). Protection G-S: non. Id(imp): 132A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 227W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Technologie DMOS. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V

Transistor canal N, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 62A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.029 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Tension Vds(max): 250V. C (in): 4830pF. C (out): 945pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non. Id(imp): 248A. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 298W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 245 ns. Td(on): 75 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V