Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 20A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.22 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2600pF. C (out): 280pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1700 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications de régulateur à découpage. Id(imp): 80A. Marquage sur le boîtier: K20J50D. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 280W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: Type POWER MOS à effet de champ (MOSVII). Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 800pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K6A60D. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 40W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 6A, 10uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 650V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1050pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Régulateur à découpage. Id(imp): 24A. Idss (min): 10uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 7A, 10uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 470pF. C (out): 13pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 230 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: pour régulateurs à découpage. Id(imp): 28A. Marquage sur le boîtier: TK7P60W. Dissipation de puissance maxi: 70W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non

Transistor canal N, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): 2-10U1B. Tension Vds(max): 650V. C (in): 1350pF. C (out): 135pF. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 30Ap. Marquage sur le boîtier: K8A65D. Dissipation de puissance maxi: 45W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 75 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 0.3A, 0.3A, 2.3 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. Id (T=25°C): 0.3A. Idss (maxi): 0.3A. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 240V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: niveau logique. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 9.31k Ohms. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 161A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 58 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 7150pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 161A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6435pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 121A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 3 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 47 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4456pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 40V, 121A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 35 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 5022pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 60V, 104A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 56 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6870pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), PDFN56, 60V, 107A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PDFN56. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 78 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 6253pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 136W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, 20V, -6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 0.6V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8.1 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 21.8 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 562pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.6W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 0.47A, 0.47A, 3 Ohms, 60V. Id (T=25°C): 0.47A. Idss (maxi): 0.47A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension Vds(max): 60V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 1W. Technologie: V-MOS. Quantité par boîtier: 1

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 70V, 10A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB10N07. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 900ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 42V, 14A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB14N04. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 120ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 500 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 70V, 35A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB35N07-E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 800 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D²-PAK, TO-263, 42V, 49A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNB49N04. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 600 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 2400 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor canal N, 1.7A, 75uA, 0.25 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Id (T=25°C): 1.7A. Idss (maxi): 75uA. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 45V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Idss (min): 30uA. Dissipation de puissance maxi: 7W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS 1NV04P

Transistor canal N, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220, 70V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 70V. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 125 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mosfet de puissance entièrement autoprotégé. Protection G-S: Diode Zéner. Id(imp): 14A. Idss (min): 50uA. IGF: 50mA. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 230 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: OMNIFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: limitation linéaire du courant

Transistor canal N, 20A, 200uA, 0.05 Ohms, TO-220, TO-220AB, 70V. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 70V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mosfet de puissance entièrement autoprotégé. Idss (min): 50uA. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: OMNIFET. Dissipation maximale Ptot [W]: 83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, MOSFET, 70V, 35A, 70V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): MOSFET. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Tension Vds(max): 70V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNP35N07. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 200 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 1000 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 100 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Utilisation: Ilim= 35A IR= -50A. Tension d'entrée Vin (max): 18V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 70V, 5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: VNP5N07-E. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 100 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 250 ns. Dissipation maximale Ptot [W]: 31W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +135°C

Transistor canal N, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 75uA. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 45V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 107ns. Type de transistor: MOSFET. Idss (min): 30uA. Remarque: sérigraphie/code CMS S3NV04DP. Marquage sur le boîtier: S3NV04DP. Dissipation de puissance maxi: 4W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 450 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 650V, 38A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 53 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 193 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2940pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 277W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C