Transistors FET et MOSFET canal N
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Transistor canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. Id (T=100°C): 3A. I...
Transistor canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3.8A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 70V. C (in): 298pF. C (out): 35pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 10A. Idss (min): 0uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V
Transistor canal N, 3A, 3.8A, 1uA, 0.13 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 70V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 3.8A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 70V. C (in): 298pF. C (out): 35pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 10A. Idss (min): 0uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 11.5 ns. Td(on): 1.9 ns. Technologie: 'Enhancement Mode MOSFET'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V
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