Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 5.2A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Tension Vds(max): 55V. RoHS: oui. C (in): 660pF. C (out): 230pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 55 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 30A. Idss (min): 25uA. IGF: 660pF. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 7.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-223, 100V, 1.6A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.6A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FL4310. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 34 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 55V, 53A, 1, TO-247, TO-247AC, 55V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 53A. Boîtier (norme JEDEC): 1. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP044N. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ 29A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET

Transistor canal N, 52A, 70A, 250uA, 0.018 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. Id (T=100°C): 52A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.018 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 60V. C (in): 2400pF. C (out): 1300pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 120ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PowerMOSFET. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 190W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 210 ns. Td(on): 8.1 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 45A, 64A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 45A. Id (T=25°C): 64A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.016 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 1900pF. C (out): 620pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 94 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 210A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 140W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 32 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 64A, 70A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. Id (T=100°C): 64A. Id (T=25°C): 70A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 60V. C (in): 4500pF. C (out): 2000pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 83 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 57A, 81A, 250uA, 0.012 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 81A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.012 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 2900pF. C (out): 880pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 81 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 290A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 170W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, 59A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 59A. Id (T=25°C): 110A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 4000pF. C (out): 1300pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 110 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 390A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 55V, 110A, 150W. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Boîtier (norme JEDEC): 150W. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP064NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 4000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 60V, 70A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 70A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP064PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.009 Ohms @ 78A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 21 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 7400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 22A, 31A, 250uA, 0.077 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.077 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1700pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Remarque: transistor complémentaire (paire) IRFP9140. Dissipation de puissance maxi: 180W. RoHS: oui. Td(off): 53 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Puissance: 180W. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 110A, 160A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-247, TO-247AC, 55V. Id (T=100°C): 110A. Id (T=25°C): 160A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.0042 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 55V. C (in): 5600pF. C (out): 1310pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast Switching, Advanced Process Technology, Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 640A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 310W. RoHS: oui. Td(off): 140 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Puissance: 310W. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 31A, 31A, 0.51 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 100V. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 31A. Résistance passante Rds On: 0.51 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PowerMOSFET. Dissipation de puissance maxi: 131W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET

Transistor canal N, 16A, 33A, 250uA, 0.052 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 16A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PowerMOSFET. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 140W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 29A, 41A, 250uA, 0.55 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 29A. Id (T=25°C): 41A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 2800pF. C (out): 1100pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 220 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFP150. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 230W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: HEXFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 30A, 42A, 250uA, 0.36 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Id (T=100°C): 30A. Id (T=25°C): 42A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.36 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 100V. C (in): 1900pF. C (out): 450pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 180 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 140A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 100V, 42A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP150NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 100V, 42A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 42A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP150PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms @ 23A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 160W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, 13A, 22A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 22A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 500V. C (in): 3450pF. C (out): 513pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS MOSFET. Id(imp): 88A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 277W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 47 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, 12A, 20A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 20A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 1300pF. C (out): 400pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 80A. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Poids: 4.6g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: transistor complémentaire (paire) IRFP9240. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non

Transistor canal N, TO-247AC, 200V, 20A, 200V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Tension drain - source (Vds): 200V. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP240PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 12A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 45 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 20A. Puissance: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Id (T=100°C): 21A. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension Vds(max): 200V. C (in): 2159pF. C (out): 315pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 186 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 214W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non

Transistor canal N, TO-247AC, 200V, 30A, 0.075 Ohms, 200V. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Tension drain - source (Vds): 200V. Marquage du fabricant: IRFP250NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 41 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2159pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 214W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 30A. Puissance: 214W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 200V, 30A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP250PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.085 Ohms @ 18A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 70 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-247AC, 250V, 23A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Tension drain-source Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP254PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 14A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 74 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C