Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. Id (T=25°C): 41A. Idss (maxi): 1000uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 4360pF. C (out): 895pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 280 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Protection G-S: non. Id(imp): 164A. Idss (min): 250uA. Dissipation de puissance maxi: 378W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: Power MOS 7 FREDFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V

Transistor canal N, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.10 Ohms. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 7400pF. C (out): 1000pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Protection G-S: non. Id(imp): 176A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 450W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: Power MOSV. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

Transistor canal N, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 800V. C (in): 2600pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 600 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide, faible fuite. Protection G-S: non. Id(imp): 48A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 260W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Power MOSV. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-343, 5V, 0.1A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-343. Tension drain-source Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: 5Fx. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 0.37V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.27W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N. Quantité par boîtier: 1. Remarque: TU

Transistor canal N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 15mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4pF. C (out): 1.6pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Protection G-S: non. Idss (min): 6mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.6V

Transistor canal N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 25mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4pF. C (out): 1.6pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Protection G-S: non. Idss (min): 12mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor à effet de champ. Tension grille/source Vgs: 8V. Tension grille/source VGS (off) max.: 7.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.2V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-92, AM/FM/VHF, 25V, 10mA, TO-92, 39V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): AM/FM/VHF. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 39V. RoHS: non. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BF246A. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -14.5V @ +15V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 14.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.6V

Transistor canal N, 13mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (maxi): 13mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: pour amplificateurs RF VHF/UHF. Idss (min): 6mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 0.5V

Transistor canal N, 18mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (maxi): 18mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: FET. Fonction: pour amplificateurs RF VHF/UHF. Idss (min): 11mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 0.5V

Transistor canal N, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 6.5mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Protection G-S: non. Idss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 20*. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 2mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.2V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.4V

Transistor canal N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 15mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Protection G-S: non. Idss (min): 6mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 21*. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 6mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.6V

Transistor canal N, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1.7pF. C (out): 0.8pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Protection G-S: non. Idss (min): 12mA. IGF: 10mA. Marquage sur le boîtier: 22*. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 12mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Transistor à effet de champ à jonction silicium. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) max.: 7.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 3.2V

Transistor canal N, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. Id (T=25°C): 30mA. Idss (maxi): 18mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension Vds(max): 18V. C (in): 3pF. C (out): 1.2pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications VHF et UHF avec tension d'alimentation 12V. Protection G-S: oui. Idss (min): 2mA. Marquage sur le boîtier: M90. Nombre de connexions: 4. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET

Transistor canal N, 30mA, 4mA, SOT-143, SOT-143, 20V. Id (T=25°C): 30mA. Idss (maxi): 4mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension Vds(max): 20V. C (in): 2.3pF. C (out): 0.8pF. Quantité par boîtier: 1. Fonction: transistor MOSFET N. Idss (min): 2mA. Remarque: sérigraphie/code CMS MH. Marquage sur le boîtier: MH. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Transistor canal N, 30mA, 15mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Id (T=25°C): 30mA. Idss (maxi): 15mA. Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143. Tension Vds(max): 12V. C (in): 2.1pF. C (out): 1.1pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Applications VHF et UHF avec tension d'alimentation 12V. Protection G-S: non. Idss (min): 5mA. Marquage sur le boîtier: MOS. Nombre de connexions: 4. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-143B, 12V, 30mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-143B. Tension drain-source Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: BF998. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2.5pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), SOT-23, 25V, 5mA. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 5mA. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: M2. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.25W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. Id (T=25°C): 120mA. Idss (maxi): 30nA. Résistance passante Rds On: 15 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 200V. C (in): 85pF. C (out): 20pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Diode Tff(25°C): 8 ns. Type de transistor: MOSFET. Protection G-S: non. Id(imp): 2A. Marquage sur le boîtier: BS107. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 1, 200V, 250mA, TO-92, 200V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): 1. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 200V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BS107A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: (D-S) MOSFETs. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

Transistor canal N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. Id (T=25°C): 0.5A. Idss (maxi): 10nA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 60V. C (in): 24pF. C (out): 40pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Protection G-S: non. Id(imp): 1.2A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: BS170. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Petits signaux. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 60V, 0.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BS170G. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 60V, 0.3A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BS170_D27Z. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 24pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor canal N, Autre, Autre, 600V. Boîtier: Autre. Boîtier (selon fiche technique): Autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 30A. Nombre de connexions: 24. Dimensions: 107.5x45x17mm. Dissipation de puissance maxi: 700W. RoHS: oui. Spec info: 7x IGBT. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 250 ns. Td(on): 50 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.95V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.5V

Transistor canal N, 0.1A, 0.1A, 15 Ohms, 50V. Id (T=25°C): 0.1A. Idss (maxi): 0.1A. Résistance passante Rds On: 15 Ohms. Tension Vds(max): 50V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Remarque: 5ns...20ns. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Technologie: D-MOS Log.L