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Vishay
Vishay SI2333DDS-T1-GE3 P-Channel MOSFET 12V 6A SOT-23
Référence produit : SI2333DDS-T1-GE3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2999 | 1.59 € | — |
| 3000+Meilleur prix | 1.06 € | -33% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Paramètre | Valeur |
| Tension Vdss maximale | 12V |
| Courant Id maximal | 6A |
| Résistance Rds-on | 0.023Ohm |
| Paramètre (Package) | SOT-23 |
Description technique du produit (SI2333DDS-T1-GE3):
Le SI2333DDS-T1-GE3 est un MOSFET à canal P haute performance de Vishay dans un boîtier SOT-23. Les applications typiques incluent la gestion de l'alimentation, la commutation de charge, la protection de la batterie et les convertisseurs DC-DC. Manufacturer info: SI2333DDS-T1-GE3 - 12V 6A 1.7W Rds=0.023Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY.