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Vishay (siliconix)
Vishay (siliconix) SI2309CDS-T1-GE3 P-Channel MOSFET 60V 1.2A SOT-23
Référence produit : SI2309CDS-T1-GE3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.27 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.79 € | -38% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Paramètre | Valeur |
| Tension Vdss maximale | 60V |
| Courant Id maximal | 1.2A |
| Résistance Rds-on | 0.34Ohm |
| Paramètre (Package) | SOT-23 |
Description technique du produit (SI2309CDS-T1-GE3):
Le SI2309CDS-T1-GE3 est un MOSFET à canal P haute performance de Vishay (siliconix) dans un boîtier SOT-23. Les applications typiques incluent la gestion de l'alimentation, la commutation de charge, la protection de la batterie et les convertisseurs DC-DC. Manufacturer info: SI2309CDS-T1-GE3 - 60V 1.2A 1.0W Rds=0.34Ohm SMD SOT-23 P-MOSFET - VISHAY.