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Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJB110G10B MOSFET de Puissance Canal N 100V 110A Rds(on) 0.0052 Ohm TO
Référence produit : YJB110G10B
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.25 € | — |
| 5 – 9 | 1.89 € | -16% |
| 10 – 19 | 1.75 € | -22% |
| 20 – 49 | 1.63 € | -28% |
| 50 – 99 | 1.53 € | -32% |
| 100 – 799 | 1.50 € | -33% |
| 800+Meilleur prix | 1.49 € | -34% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Paramètre | Valeur |
| Type | MOSFET |
| Tension | 100 V |
| Courant | 110.0 A |
| Boîtier | TO-263 |
| Résistance (RDSon) | 0.0052 Ohm |
Description technique du produit (YJB110G10B):
Le YJB110G10B est un MOSFET haute performance fabriqué par Yangjie Electronic Technology. Ce (YET) N-POWERFET dispose de 100V, 110A et d'une Rds(on) de 0.0052 Ohm, encapsulé dans un boîtier TO-263 (D2PAK). Il est adapté pour la gestion de l'énergie, les convertisseurs DC-DC et les applications de commande de moteur.<br><br>