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Yangjie Electronic Technology
Yangjie YJB200G06A N-Power MOSFET 60V 200A TO-263
Référence produit : YJB200G06A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.08 € | — |
| 5 – 19 | 1.69 € | -19% |
| 20 – 29 | 1.51 € | -27% |
| 30 – 99 | 1.37 € | -34% |
| 100 – 299 | 1.26 € | -39% |
| 300 – 799 | 1.22 € | -41% |
| 800+Meilleur prix | 1.22 € | -41% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Paramètre | Valeur |
| Type | MOSFET |
| Tension | 60 V |
| Courant | 200.0 A |
| Boîtier | TO-263 |
| Résistance (RDSon) | 0.0029 Ohm |
Description technique du produit (YJB200G06A):
Le Yangjie Electronic Technology YJB200G06A est un N-Power MOSFET haute performance. Il présente 60V, 200A, Rds < 0.0029 Ohm. Il est adapté pour la gestion de l\'énergie, les convertisseurs DC-DC et les applications de commande de moteur. Encapsulé dans un boîtier TO-263.<br><br>