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Yangjie Electronic Technology
Yangjie YJD100G10A N-Power MOSFET 100V 100A TO-252
Référence produit : YJD100G10A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 1.22 € | — |
| 10 – 29 | 0.89 € | -27% |
| 30 – 49 | 0.80 € | -34% |
| 50 – 99 | 0.73 € | -40% |
| 100 – 299 | 0.68 € | -44% |
| 300 – 2499 | 0.66 € | -46% |
| 2500+Meilleur prix | 0.66 € | -46% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Paramètre | Valeur |
| Type | MOSFET |
| Tension | 100 V |
| Courant | 100.0 A |
| Boîtier | TO-252 |
| Résistance (RDSon) | 0.0065 Ohm |
Description technique du produit (YJD100G10A):
Le Yangjie Electronic Technology YJD100G10A est un N-Power MOSFET haute performance. Il présente 100V, 100A, Rds < 0.0065 Ohm. Il est adapté pour la gestion de l\'énergie, les convertisseurs DC-DC et les applications de commande de moteur. Encapsulé dans un boîtier TO-252.<br><br>