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Yangjie Electronic Technology
Yangjie YJD2065200NCTGH MOSFET Canal N SiC 650V 18.5A TO-247
Référence produit : YJD2065200NCTGH
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 5.97 € | — |
| 2 – 4 | 5.29 € | -11% |
| 5 – 8 | 4.77 € | -20% |
| 9 – 29 | 4.32 € | -28% |
| 30 – 44 | 4.29 € | -28% |
| 45 – 89 | 3.97 € | -34% |
| 90+Meilleur prix | 3.83 € | -36% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Paramètre | Valeur |
| Type | MOSFET à canal N |
| Tension | 650 V |
| Courant | 18.5 A |
| Boîtier | TO-247 |
| Résistance (RDSon) | 0.200 Ohm |
Description technique du produit (YJD2065200NCTGH):
Le Yangjie Electronic Technology YJD2065200NCTGH est un MOSFET à canal N SiC haute performance. Il présente 650V, 18.5A, Rds < 0.200 Ohm et 105W. Il est adapté pour la gestion de l\'énergie, les convertisseurs DC-DC et les applications de commande de moteur. Encapsulé dans un boîtier TO-247.<br><br>