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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, 10A, 125A, TO-220, SOT78 (TO-220AB), 200V - BYV32E-200

Diode, 10A, 125A, TO-220, SOT78 (TO-220AB), 200V - BYV32E-200
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.18€ 1.43€
5 - 9 1.12€ 1.36€
10 - 24 1.06€ 1.28€
25 - 49 1.00€ 1.21€
50 - 99 0.98€ 1.19€
100 - 249 1.10€ 1.33€
250 - 2024 1.23€ 1.49€
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1 - 4 1.18€ 1.43€
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Diode, 10A, 125A, TO-220, SOT78 (TO-220AB), 200V - BYV32E-200. Diode, 10A, 125A, TO-220, SOT78 (TO-220AB), 200V. IF(AV): 10A. IFSM: 125A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. Marquage sur le boîtier: BYV32E-200. Equivalences: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.72V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 20:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

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MUR1620CT

MUR1620CT

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon f...
MUR1620CT
Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 250uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm 100Ap
MUR1620CT
Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 200V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 200V. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 250uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.975V. Tension de seuil Vf (min): 0.895V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ifsm 100Ap
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2.46€ TTC
(2.03€ HT)
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MUR1660CT

MUR1660CT

Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon f...
MUR1660CT
Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm 100Ap
MUR1660CT
Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm 100Ap
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2.30€ TTC
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BYV32E-200

BYV32E-200

Diode, 10A, 125A, TO-220, SOT78 (TO-220AB), 200V. IF(AV): 10A. IFSM: 125A. Boîtier: TO-220. Boîtie...
BYV32E-200
Diode, 10A, 125A, TO-220, SOT78 (TO-220AB), 200V. IF(AV): 10A. IFSM: 125A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. Marquage sur le boîtier: BYV32E-200. Equivalences: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.72V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm 125A t=10ms
BYV32E-200
Diode, 10A, 125A, TO-220, SOT78 (TO-220AB), 200V. IF(AV): 10A. IFSM: 125A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. Marquage sur le boîtier: BYV32E-200. Equivalences: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.85V. Tension de seuil Vf (min): 0.72V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Remarque: cathode commune. Spec info: Ifsm 125A t=10ms
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