Diode BAV20, DO-35 ( SOD27 ), 0.25A, 1A, DO-35, 200V

Diode BAV20, DO-35 ( SOD27 ), 0.25A, 1A, DO-35, 200V

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Diode BAV20, DO-35 ( SOD27 ), 0.25A, 1A, DO-35, 200V. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). IF(AV): 0.25A. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Courant d'impulsion max.: 5A. Courant: 0.65A. Fonction: Diodes à usage général. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Temps de réaction: 50ns. Tension de conduction (tension de seuil): 1V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Tension inverse maxi: 150V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:15

Documentation technique (PDF)
BAV20
29 paramètres
Boîtier
DO-35 ( SOD27 )
IF(AV)
0.25A
IFSM
1A
Boîtier (selon fiche technique)
DO-35
VRRM
200V
Cj
1.5pF
Courant d'impulsion max.
5A
Courant
0.65A
Fonction
Diodes à usage général
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Propriétés des éléments semi-conducteurs
commutation ultra rapide
Puissance
0.5W
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C
Structure diélectrique
Anode-cathode
Structure semi-conductrice
diode
Temps de réaction
50ns
Tension de conduction (tension de seuil)
1V
Tension de seuil Vf (max)
1.25V
Tension de seuil Vf (min)
1V
Tension inverse maxi
150V
Trr Diode (Min.)
50 ns
Type de conditionnement
Ammo Pack
Type de diode
diode de redressement
Produit d'origine constructeur
Vishay
Quantité minimum
10

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