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Diode, 200V, TO-220AB, 10A - BYV32E-200

Diode, 200V, TO-220AB, 10A - BYV32E-200
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Diode, 200V, TO-220AB, 10A - BYV32E-200. Diode, 200V, TO-220AB, 10A. VRRM: 200V. Boîtier: TO-220AB. Courant redressé moyen par diode: 10A. Type de diode: diode de redressement. Tension de seuil maxi: <0.85V / 8A. Type de montage: THT. Temps de récupération inverse (max): 25ns. Série: BYV32. Produit d'origine constructeur Ween Semiconductors. Quantité en stock actualisée le 27/07/2025, 11:25.

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Diode, 8A, 100A, TO-220, TO-220AC, 600V. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast SMPS. Remarque: cathode commune. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V
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Diode, 200V, TO-220AB, 10A. VRRM: 200V. Boîtier: TO-220AB. Courant redressé moyen par diode: 10A. Type de diode: diode de redressement. Tension de seuil maxi: <0.85V / 8A. Type de montage: THT. Temps de récupération inverse (max): 25ns. Série: BYV32
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Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 2dB. Structure diélectrique: Cathode commune. Trr Diode (Min.): 35ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: ULTRA FAST. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. Marquage sur le boîtier: BYV32-200. Nombre de connexions: 3 pièces. ROHS: Oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.01V. Tension de seuil Vf (min): 0.74V. VRRM: 200V
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